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准垂直结构器件用 Si 衬底厚膜外延片 对比选型>
GaN-on-Si for vertical power devices

适用于准垂直结构SBD

尺寸 4-6英寸厚度>5μmμ＞800 cm2/Vs
功率器件用 Si 衬底外延片 对比选型>
GaN-on-Si for power devices

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸耐压 650V方阻 350 ohm/sq
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